線陣圖像傳感器
- 產品型號：
- 更新時間：2025-12-18
- 產品介紹：這款緊湊型低成本近紅外線陣圖像傳感器設計用于便攜式分析儀器。其消耗電流低于前代產品（DIP 封裝產品：G11620 系列）。由于采用帶有柔性電路板的緊湊型 LCC 封裝，它們適合集成到緊湊的薄型設備中。
- 廠商性質：經銷商
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產品介紹
| 品牌 | HAMAMATSU/濱松 | 應用領域 | 醫療衛生,環保,化工,電子/電池,綜合 |
|---|
InGaAs 線陣圖像傳感器G13913-256FG
用于便攜式分析儀器的近紅外圖像傳感器
這款緊湊型低成本近紅外線陣圖像傳感器設計用于便攜式分析儀器。其消耗電流低于前代產品（DIP 封裝產品：G11620 系列）。由于采用帶有柔性電路板的緊湊型 LCC 封裝，它們適合集成到緊湊的薄型設備中。
特點
- 緊湊型（帶柔性電路板）
- 3.3 V 驅動器
- 低成本
- 256 像素（25 × 250 μm/像素）
- 有兩種轉換效率等級可供選擇
- 內置抗飽和電路
- 操作方便（內置時序發生電路）
- 高分辨率：像素間距 25 μm
詳細參數
| 影像尺寸 | 6.4 x 0.25 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 250 μm |
| 像素間距 | 25 μm |
| 像素總數 | 256 像素 |
| 封裝 | 陶瓷，帶柔性電路板 |
| 散熱 | 非冷卻型 |
| 行速率（最大值） | 7290 行/秒 |
| 靈敏度波長范圍 | 950 至 1700 nm |
| 暗電流（最大值） | 10 pA |
| 測量條件 | 除非另有說明，典型值 Ta = 25°C，Vdd = 3.3 V，INP = Fvref = Vhold = PDN = 2.5V，Vclk = 3.3 V，fop = 1 MHz |
光譜靈敏度特性
外形尺寸圖（單位：mm）
InGaAs 線陣圖像傳感器G14237-512WA
近紅外傳感器（0.85 至 1.45 μm）
G14237-512WA 是一款 InGaAs 線陣圖像傳感器，設計用于使用 1064 nm 激光器進行拉曼光譜測量。該產品專為測量拉曼光譜范圍而設計，截止波長相比前代產品 (G11508-512SA) 有所減小，以實現低暗電流。該產品由 InGaAs 光電二極管陣列和 CMOS 芯片組成，包含電荷放大器、偏移補償電路、移位寄存器和時序發生電路。電荷放大器由 CMOS 晶體管陣列組成，并連接到 InGaAs 光電二極管陣列的每個像素。每個像素的信號都在電荷積分模式下讀出，在近紅外區域實現了高靈敏度和穩定操作。采用密封封裝，可靠性極/佳?？墒褂猛獠侩妷簩?CMOS 芯片上的信號處理電路設定為四種轉換效率 (CE) 設置之一。
特點
低噪聲，極低暗電流[1/10 or less than that of the previous product (cutoff wavelength: 1.7 μm)]
有四種轉換效率可供選擇
內置抗飽和電路
內置 CDS 電路
內置熱敏電阻
操作方便（內置時序發生電路）
高分辨率：像素間距 25 μm
詳細參數
| 影像尺寸 | 12.8 x 0.5 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 500 μm |
| 像素間距 | 25 μm |
| 像素總數 | 512 像素 |
| 封裝 | 金屬 |
| 散熱 | 兩級電子冷卻型 |
| 行速率（最大值） | 9150 行/秒 |
| 靈敏度波長范圍 | 850 至 1450 nm |
| 暗電流（最大值） | 2 pA |
| 測量條件 | 除非另有說明，典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，INP = Vinp = PDN = 4 V，Fref = 1.2V，Vclk = 5V，f = 1 MHz，CE = 16 nV/e- |
光譜靈敏度特性
外形尺寸圖（單位：mm）
CMOS 線陣圖像傳感器S13496
高靈敏度，像素垂直長度較長的受光面
S13496 是一款高靈敏度 CMOS 線陣圖像傳感器，使用具有微小像素的受光面。它擁有包含 4096 像素的長受光面（有效光敏區長度：28.672 mm），每個像素尺寸為 7×200 μm。
特點
-像素尺寸：7 × 200 μm
-4096 像素
-有效光敏區長度：28.672 mm
-高靈敏度：650 V/(lx?s)
-全像素同步電荷積分
-可變積分時間功能（電子快門功能）
-5 V 單電源供電
-內置時序發生電路允許僅使用起動和時鐘脈沖輸入即可運行
-信號數據率：最大 10 MHz
詳細參數
| 類型 | 高靈敏度型 |
| 影像尺寸 | 28.672 x 0.200 mm |
| 有效像素數 | 4096 x 1 像素 |
| 像素尺寸 | 7 x 200 μm |
| 光譜響應范圍 | 200 至 1000 nm |
| 行速率（最大值） | 2387 行/秒 |
| 制冷 | 非冷卻型 |
| 窗材 | 石英 |
| 封裝 | LCP |
| 測量條件 | 典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，V(CLK) = V(ST) = 5 V，f(CLK) = 10 MHz，除非另有說明 |
光譜靈敏度特性
外形尺寸圖（單位：mm）
CMOS 線陣圖像傳感器S11639-01
高靈敏度，像素垂直長度較長的受光面
S11639-01 是一款高靈敏度 CMOS 線陣圖像傳感器，使用像素垂直長度較長的受光面 (14 × 200 µm)。其他特點包括在紫外區域中的高靈敏度和對紫外線性的高耐受性。S11639-01 采用 5 V 單電源供電，適用于低成本光譜儀。
特點
-像素尺寸：14 × 200 μm
-2048 像素
-有效光敏區長度：28.672 mm
-高靈敏度：1300 V/(lx?s)
-在紫外至近紅外區域具有高靈敏度（光譜響應范圍：200 至 1000 nm）
-全像素同步電荷積分
-可變積分時間功能（電子快門功能）
-5 V 單電源供電
-內置時序發生電路允許僅使用起動和時鐘脈沖輸入即可運行
-信號數據率：最大 10 MHz
應用示例 (SD-OCT)
SD-OCT
來自寬帶波長光源的光照射到樣品上，干涉光光譜發散，然后被線陣圖像傳感器檢測到。通過對獲得的波長信息進行傅里葉變換，獲得樣品深度方向的圖像。
線性編碼器
這款線陣圖像傳感器具有矩形像素、高行速率和全局快門功能，適用于線性編碼器的絕對蹤跡讀取。
詳細參數
| 類型 | 高靈敏度型 |
| 影像尺寸 | 28.672 x 0.200 mm |
| 有效像素數 | 2048 x 1 像素 |
| 像素尺寸 | 14 x 200 μm |
| 光譜響應范圍 | 200 至 1000 nm |
| 行速率（最大值） | 4672 行/秒 |
| 制冷 | 非冷卻型 |
| 窗材 | 石英 |
| 封裝 | LCP |
| 測量條件 | 典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，V(CLK) = V(ST) = 5 V，f(CLK) = 10 MHz，除非另有說明 |
光譜靈敏度特性
外形尺寸圖（單位：mm）
CD 線陣圖像傳感器S13256-2048-02
帶電子快門功能的薄型背照式 CCD 圖像傳感器
S13256-2048-02 是一款薄型背照式 CCD 線陣圖像傳感器，帶有用于光譜儀的內部電子快門。此圖像傳感器使用電阻門構造，可實現高速傳輸。每個像素都有光譜儀所需的縱向尺寸，但確保讀出時圖像延遲較低。此外，封裝還內置了電子制冷器，以在操作期間保持元件溫度恒定（約 5°C）。
特點
內置電子快門
最短積分時間：2 μs
在紫外區域具有高靈敏度（光譜響應范圍：200 至 1100 nm）
讀出速度：最大 10 MHz
-圖像延遲：典型值為 0.1%
詳細參數
| 類型 | 內置電子快門型 |
| 影像尺寸 | 28.672 x 1.000 mm |
| 有效像素數 | 2048 x 1 像素 |
| 像素尺寸 | 14 x 1000 μm |
| 光譜響應范圍 | 200 至 1100 nm |
| 行速率（典型值） | 2327 行/秒 |
| 行速率（最大值） | 4633 行/秒 |
| 暗電流（典型值） | 15000 e-/像素/秒 |
| 讀出噪聲（典型值） | 30 e- rms |
| 制冷 | 單級電子冷卻 |
| 窗材 | 石英 |
| 封裝 | 金屬 |
| 測量條件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有說明，暗電流：MPP 模式 |
光譜靈敏度特性
外形尺寸圖（單位：mm）
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